成人免费视频一区二区-亚洲精品无码久久久久sm-激情爆乳一区二区三区-色护士极品影院-亚洲中文字幕无码爆乳av

您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網!

深圳市烜芯微科技有限公司

ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
二極管、三極管、MOS管、橋堆

全國服務熱線:18923864027

  • 熱門關鍵詞:
  • 橋堆
  • 場效應管
  • 三極管
  • 二極管
  • mos管規格書參數-MOS管規格書各個MOS參數
    • 發布時間:2019-08-19 14:23:59
    • 來源:
    • 閱讀次數:
    mos管規格書參數詳解
    mos管規格書參數詳解之讀懂每一個mos管參數
    在了解mos管規格書參數詳解之前,先來看看mos管的每一個參數代表什么及說明,mos管除了G、S、D引腳和N溝道mos管和P溝道mos管之外還有很多具體的參數,每個詳細參數如下:
    mos管規格書參數
    Rds(on)----------DS的導通電阻.當Vgs=10V時,MOS的DS之間的電阻
    Id------------------最大DS電流.會隨溫度的升高而降低
    Vgs----------------最大GS電壓.一般為:-40V~+40V
    Idm---------------最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低,體現一個抗沖擊能力,跟脈沖時間也有關系
    Pd-----------------最大耗散功率
    Tj------------------最大工作結溫,通常為150度和175度
    Tstg---------------最大存儲溫度
    Iar-----------------雪崩電流
    Ear---------------重復雪崩擊穿能量
    Eas---------------單次脈沖雪崩擊穿能量
    BVdss------------DS擊穿電壓
    Idss---------------飽和DS電流,uA級的電流
    Igss---------------GS驅動電流,nA級的電流.
    gfs----------------跨導
    Qg----------------G總充電電量
    Qgs--------------GS充電電量
    Qgd-------------GD充電電量
    Td(on)---------導通延遲時間,從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間
    Tr----------------上升時間,輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時間
    Td(off)----------關斷延遲時間,輸入電壓下降到 90% 開始到 VDS 上升到其關斷電壓時 10% 的時間
    Tf-----------------下降時間,輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時間
    Ciss---------------輸入電容,Ciss=Cgd + Cgs.
    Coss--------------輸出電容,Coss=Cds +Cgd.
    Crss---------------反向傳輸電容,Crss=Cgc.
    mos管規格書參數
    mos管規格書參數詳解說明
    (一)
    mos管規格書參數
    說明:MOS管漏極和源極最大耐壓值。
    測試條件:在Vgs=0V,柵極和源極不給電壓。
    影響:超過的話會讓MOSFET損壞。
    (二)
    mos管規格書參數
    說明:ID的漏電流。
    測試條件:在Vgs=0V,在漏極和源極兩端給48V的電壓。
    影響:漏電流越大功耗越大。
    (三)
    mos管規格書參數
    說明:柵極漏電流
    測試條件:在Vgs=+-20V,在漏極和源極兩端不給電壓。
    (四)
    mos管規格書參數
    說明:開啟電壓
    測試條件:在Vgs=Vds,在漏極和源極兩端電流控制在250uA。
    影響:低于參考值可能出現不導通現象,設計時需要考慮范圍值。
    (五)
    mos管規格書參數
    說明:完全開啟,漏極和源極兩端最大過電流30A,
    測試條件:在Vgs=Vds,在漏極和源極兩端電流控制在250uA。
    影響:低于參考值可能出現不導通現象,設計時需要考慮范圍值。
    (六)
    mos管規格書參數
    說明:導通時,Vds的內阻
    測試條件:在Vgs=10V,通過12A的電流;Vgs=4.5V,通過6A的電流,在漏極和源極兩端的內阻。
    影響:內阻越小,MOS過的電流越大,相同電流下,功耗越小。
    (七)
    mos管規格書參數
    說明:跨導的單位是A/V。是源極電流Id比上柵極電壓Vgs,是柵極電壓對源極電流的控制作用大小,
    跨導:
    線性壓控電流源的性質可表示為方程 I=gV ,其中g是常數系數。系數g稱作跨導(或轉移電導),具有與電導相同的單位。 這個電路單元通常指放大器。
    在MOS管中,跨導的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。在轉移特性曲線上,跨導為曲線的斜率。
    (八)
    mos管規格書參數
    說明:MOS管體二極管的正向導通壓降
    測試條件:在VGS=0V,體二極管正向通過1A的電流。
    (九)
    mos管規格書參數
    說明:體二極管可承受最大連續續電流
    測試條件:
    影響:如果偏小,在設計降額不充裕的系統中或在測試OCP,OLP(逐周期電流限制保護(OCP),限制最大輸出電流;過載保護(OLP),限制最大輸出功率;的過程中會引起電流擊穿的風險
    (十)
    mos管規格書參數
    說明:
    Ciss=Cgs+Cgd 輸入電容
    Coss=Cds+Cgd 輸出電容
    Crss=Cgd(米勒電容)
    影響:Ciss:影響到MOS管的開關時間,Ciss越大,同樣驅動能力下,開通和關斷時間就越慢,開關損壞也就越大。較慢的開關速度對應會帶來較好的EMI
    Coss和Crss:這兩項參數對MOSFET關斷時間略有影響,其中Cgd會影響到漏極有異常高電壓時,傳輸到MOSFET柵極電壓能力的大小,對雷擊測試項目有一點的影響。
    (十一)
    mos管規格書參數
    說明:    
    Qg:柵極總充電電量
    Qgs:柵極充電電量
    Qgd:柵極充電電量
    tD(on):漏源導通延遲時間
    tr:漏源電路上升時間
    tD(off):漏源關斷延遲時間
    tf:漏源電路下降時間
    影響:參數與時間相互關聯的參數,開關速度越快對應的優點是開關損耗越小,效率高,溫升低,對應的缺點是EMI特性差,MOSFET關斷尖峰過高。
    mos管規格書參數詳解-MOS管發熱分析
    1.電路設計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態,而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能完全導通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。
    2.頻率太高,主要是有時過分追求體積,導致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發熱也加大了。
    3.沒有做好足夠的散熱設計,電流太高,MOS管標稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流,也可能發熱嚴重,需要足夠的輔助散熱片。
    4.MOS管的選型有誤,對功率判斷有誤,MOS管內阻沒有充分考慮,導致開關阻抗增大。
    烜芯微專業制造二三極管,MOS管,20年,工廠直銷省20%,1500家電路電器生產企業選用,專業的工程師幫您穩定好每一批產品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
    相關閱讀
    主站蜘蛛池模板: 最新亚洲av日韩av二区| 翁止熄痒禁伦短文合集免费视频 | 久久www免费人成人片| 男女作爱免费网站| 无码区国产区在线播放| 少妇久久久久久久久久| 亚洲av无码国产精品永久一区| 国产成人无码av在线播放无广告| 日韩人妻无码一区二区三区综合部| 污18禁污色黄网站| 国产日韩精品欧美一区喷水| 亚洲av无码av在线播放| 94久久国产乱子伦精品免费| 免费女人高潮流视频在线观看| 护士的小嫩嫩好紧好爽| 插鸡网站在线播放免费观看| 男吃奶摸下高潮60分钟| 国产suv精品一区二区69| 四房播播网站| 全球中文成人在线| 亚洲av无码专区色爱天堂| 日韩人妻中文无码一区二区| 国产精品无码无在线观看| 欧美丰满熟妇xx猛交| 精品无码中文视频在线观看| 人人妻人人澡人人爽曰本| 亚洲精品国产情侣av在线| 亚洲av中文无码字幕色| 和黑人邻居中文字幕在线| 老师穿超短包臀裙办公室爆乳| 久别的草原在线影院观看中文| 99爱在线精品免费观看| 中文字幕人成无码人妻| 乱中年女人伦av一区二区| 国产精品无码一区二区在线看| 国产女人高潮视频在线观看| 红杏亚洲影院一区二区三区| 中文字幕免费不卡二区| 无码人妻av一二区二区三区| 国产99久久久国产精品~~牛| 大地资源第一在线|