irf630場效應管簡述
IR的第五代HEXFET功率場效應管IRF630采用先進的工藝技術制造,具有極低的導通阻抗。IRF630這種特性,加上快速的轉(zhuǎn)換速率,和以堅固耐用著稱的HEXFET設計,使得IRF630成為極其高效可靠、應用范圍超廣的器件。
TO-220封裝的IRF630普遍適用于功耗在50W左右的工商業(yè)應用,低熱阻和低成本的TO-220封裝,使IRF630得到業(yè)內(nèi)的普遍認可。D2Pak封裝的IRF630適用于貼片安裝,比起現(xiàn)有的任何其他貼片封裝,可說是功率最高,導通阻抗最低。TO-262是IRF630的通孔安裝版,適合較低端的應用。
irf630場效應管特性
先進的工藝技術
貼片安裝(IRF630NS)
低端通孔安裝(IRF630NL)
動態(tài)dv/dt率
175℃工作溫度
快速轉(zhuǎn)換速率
輕松并行
僅需簡單驅(qū)動
無鉛環(huán)保
irf630場效應管參數(shù)詳情
漏極電流, Id 最大值:9A
電壓, Vds 最大:200V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.4ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:3V
功率, Pd:100W
封裝類型, 替代:SOT-78B
引腳節(jié)距:2.54mm
時間, trr 典型值:170ns
晶體管數(shù):1
晶體管類型:MOSFET
滿功率溫度:25°C
電容值, Ciss 典型值:540pF
電流, Idm 脈沖:36A
表面安裝器件:通孔安裝
針腳格式:1G 2+插口 D 3S
閾值電壓, Vgs th 最低:2V
閾值電壓, Vgs th 最高:4V
irf630場效應管參數(shù)附件
烜芯微專業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,橋堆20年,工廠直銷省20%,1500家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹