場效應管不等于MOS管,MOS管只是場效應管的一種;而場效應管只是晶體管的一種,晶體管又分為單極性和雙極性晶體管;具體是怎么區分的,請看下面的介紹。
場效應管(Field Effect Transistor—FET)是單極型晶體管,與雙極型晶體管 BJT 都屬于晶體管(Transistor)。在雙極型晶體管中,載流子包含電子運動,也包含空穴運動,像雙重合力一般流向兩個極;而在場效應管中,只有一種載流子運動,或者電子或者空穴,流向一個極,因此叫單極型晶體管。
單極型的場效應管雖然誕生較晚,但從它一出世,就以其自身固有的優點,比如低噪
聲、高阻低功耗、熱穩定性好等,展開了與雙極型管的殊死搏斗,兩者都能實現放大功能和開關功能,因此在哪些場合用什么,就成了必須討論的問題。首先在處理器中,也就是數字領域,FET 中的一類叫 MOSFET,以其極低的功耗吸引了科學家和投資者,這使得MOSFET 在初選中就贏得了先機,它的缺點也就被科學家和投資者一一克服?,F在的處理器,全部使用 MOSFET 實現,在此領域 FET 完勝對手。在運算放大器、模數轉換器、電源模塊等模擬器件中,原本屬于雙極型晶體管的陣地,現在也開始逐步拱手想讓。因此,越來越多的用人單位,開始要求高校加大對 FET 的講解力度。
雖然如此,雙極性晶體管仍有其固守陣地的資本,比如超高頻、電流放大能力強、價格便宜、電路成熟、會用的人多,以及其它細微的特點??傊?,我們固有的觀念一天天被打破——小個子跳高得了冠軍——我們不斷見到一個個原本屬于雙極型晶體管優勢應用的場合,被 FET 占領。但至少現在,仍不是宣布 BJT 消亡的時刻。
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