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  • MOS管開關(guān)電路知識-詳解MOS管在開關(guān)電路中的使用介紹
    • 發(fā)布時間:2020-09-01 18:14:12
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    MOS管開關(guān)電路知識-詳解MOS管在開關(guān)電路中的使用介紹
    MOS管開關(guān)電路是利用MOS管柵極(g)控制MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道,所以開關(guān)電路也主要分為兩種。
    一般情況下普遍用于高端驅(qū)動的MOS,導(dǎo)通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個系統(tǒng)里,要得到比VCC大的電壓,就要專門的升壓電路了。很多馬達驅(qū)動器都集成了電荷泵,要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容,以得到足夠的短路電流去驅(qū)動MOS管。(所以看手冊,具體分析)
    MOS管是電壓驅(qū)動,按理說只要柵極電壓到到開啟電壓就能導(dǎo)通DS,柵極串多大電阻均能導(dǎo)通。但如果要求開關(guān)頻率較高時,柵對地或VCC可以看做是一個電容,對于一個電容來說,串的電阻越大,柵極達到導(dǎo)通電壓時間越長,MOS處于半導(dǎo)通狀態(tài)時間也越長,在半導(dǎo)通狀態(tài)內(nèi)阻較大,發(fā)熱也會增大,極易損壞MOS,所以高頻時柵極柵極串的電阻不但要小,一般要加前置驅(qū)動電路的。
    MOS管也就是常說的場效應(yīng)管(FET),有結(jié)型場效應(yīng)管、絕緣柵型場效應(yīng)管(又分為增強型和耗盡型場效應(yīng)管)。也可以只分成兩類P溝道和N溝道,這里我們就按照P溝道和N溝道分類。對MOS管分類不了解的可以自己上網(wǎng)查一下。
    場效應(yīng)管的作用主要有信號的轉(zhuǎn)換、控制電路的通斷,這里我們講解的是MOS管作為開關(guān)管的使用。對于MOS管的選型,注意4個參數(shù):漏源電壓(D、S兩端承受的電壓)、工作電流(經(jīng)過MOS管的電路)、開啟電壓(讓MOS管導(dǎo)通的G、S電壓)、工作頻率(最大的開關(guān)頻率)。下面我們看一下MOS管的引腳,如下圖所示:    
    MOS管,MOS管開關(guān)電路
    有3個引腳,分別為G(柵極)、S(源極)、D(漏極)。在開關(guān)電路中,D和S相當于需要接通的電路兩端,G為開關(guān)控制。這里給大家分享一個自己的分辨P溝道和N溝道的方法,我們就看中間的箭頭,把G(柵極)連接的部分當做溝道,大家都知道PN結(jié),而不是NP結(jié),那么就是P指向N的,所以腦海里想到這樣的情景 P-->N,所以箭頭都是P-->N的,那么中間的箭頭指向的就是N,如果指向溝道那就是N溝道,如果指向的是S(沒有指向溝道),那就是P溝道。這個方法也適用于三極管的判別(NPN、PNP)。
    在上圖中我們可以看到右邊都有一個寄生二極管,起到保護的作用。那么根據(jù)二極管的單向?qū)щ娦晕覀円材苤涝陔娐愤B接中,D和S應(yīng)該如何連接。使用有寄生二極管的N溝道MOS管的情況下,D的電壓要高于S的電壓,否則MOS管無法正常工作(二極管導(dǎo)通)。使用有寄生二極管的P溝道MOS管,S的電壓要高于D的電壓,原因同上。
    下面是MOS管的導(dǎo)通條件,只要記住電壓方向與中間箭頭方向相反即為導(dǎo)通(當然這個相反電壓需要達到MOS管的開啟電壓)。比如導(dǎo)通電壓為3V的N溝道MOS管,只要G的電壓比S的電壓高3V即可導(dǎo)通(D的電壓也要比S的高)。同理,導(dǎo)通電壓為3V的P溝道MOS管,只要G的電壓比S的電壓低3V即可導(dǎo)通(S的電壓比D的高)。在電路中的典型應(yīng)用如下圖所示,分別為N溝道與P溝道的MOS管驅(qū)動電路:                
    MOS管,MOS管開關(guān)電路

    MOS管,MOS管開關(guān)電路
    我們可以看到,N溝道的MOS管的電路中,BEEP引腳為高電平即可導(dǎo)通,蜂鳴器發(fā)出聲音,低電平關(guān)閉蜂鳴器;P溝道的MOS管是用來控制GPS模塊的電源通斷,GPS_PWR引腳為低電平時導(dǎo)通,GPS模塊正常供電,高電平時GPS模塊斷電。
    以上兩個應(yīng)用電路中,N溝道和P溝道MOS管不能互相替代,如下兩個應(yīng)用電路不能正常工作:
    MOS管,MOS管開關(guān)電路

    MOS管,MOS管開關(guān)電路
    MOS開關(guān)電路管損失
    不管是NMOS還是PMOS,導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在,這樣電流就會在這個電阻上消耗能量,這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會減小導(dǎo)通損耗。現(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右,幾毫歐的也有。
    MOS在導(dǎo)通和截止的時候,一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程,流過的電流有一個上升的過程,在這段時間內(nèi),MOS管的損失是電壓和電流的乘積,叫做開關(guān)損失。通常開關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多,而且開關(guān)頻率越快,損失也越大。
    導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大,造成的損失也就很大。縮短開關(guān)時間,可以減小每次導(dǎo)通時的損失;降低開關(guān)頻率,可以減小單位時間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損失。
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