MOS管的開通,關(guān)斷
了解MOS管的開通,關(guān)斷原理你就會發(fā)現(xiàn)，使用PMOS做上管、NMOS做下管比較方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的電路設(shè)計復雜，一般情況下意義不大，所以很少采用。
下面先了解MOS管的開通,關(guān)斷原理，請看下圖：
NMOS管的主回路電流方向為D→S，導通條件為VGS有一定的壓差，一般為5~10V（G電位比S電位高）；而PMOS管的主回路電流方向為S→D，導通條件為VGS有一定的壓差，一般為-5~-10V（S電位比G電位高），下面以導通壓差6V為例。
NMOS管
使用NMOS當下管，S極直接接地（為固定值），只需將G極電壓固定值6V即可導通；若使用NMOS當上管，D極接正電源，而S極的電壓不固定，無法確定控制NMOS導通的G極電壓，因為S極對地的電壓有兩種狀態(tài)，MOS管截止時為低電平，導通時接近高電平VCC。當然NMOS也是可以當上管的，只是控制電路復雜，這種情況必須使用隔離電源控制，使用一個PMOS管就能解決的事情一般不會這么干，明顯增加電路難度。
PMOS管
使用PMOS當上管，S極直接接電源VCC，S極電壓固定，只需G極電壓比S極低6V即可導通，使用方便；同理若使用PMOS當下管，D極接地，S極的電壓不固定（0V或VCC），無法確定控制極G極的電壓，使用較麻煩，需采用隔離電壓設(shè)計。
MOS管的快速關(guān)斷原理
功率mosfet的三個端口，G極，D極，S極。G極控制mosfet的開通，關(guān)斷，給GS極之間加正向電壓（高電平）[url=13/]，達到導通電壓門檻值之后就能導通。同理，[url=15/]給一個低電壓（低電平）mosfet就能關(guān)斷。既然是高低電平當然能用PWM實現(xiàn)，不過在具體應用中，應考慮PWM輸出高低電平電壓范圍，PWM電壓的輸出驅(qū)動能力等。
驅(qū)動能力太小，即使電壓很高，依然無法驅(qū)動開通MOS管。這時候需要在PWM電路之后接PWM驅(qū)動電路，再來控制功率mosfet。這個PWM應該是具有負脈沖，可以快速關(guān)斷MOS管。
如何加快MOS管關(guān)斷
可以在柵極加個跟隨器來驅(qū)動柵極，可以縮短開關(guān)時間，在柵極加個電阻或電容到地對場管開關(guān)的過程進行放電。要有柵極泄防回路管子才能快速順利地截止。由于柵極和襯底之間有一層薄薄的二氧化硅絕緣層，所以柵極和襯底之間相當于存在一個電容。
當G加上電壓后就會給這個電容充電，當G上的電壓撤掉后若G懸空電容的電荷是不能馬上放掉的，實際上G極的電壓仍然存在一段時間，所以不會馬上截止。實際使用時當要求管子截止時必須要在GS之間建立泄放回路（比如直接短路或通過電阻放電）。
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