成人免费视频一区二区-亚洲精品无码久久久久sm-激情爆乳一区二区三区-色护士极品影院-亚洲中文字幕无码爆乳av

您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網!

深圳市烜芯微科技有限公司

ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
二極管、三極管、MOS管、橋堆

全國服務熱線:18923864027

  • 熱門關鍵詞:
  • 橋堆
  • 場效應管
  • 三極管
  • 二極管
  • MOS管知識|MOS管功率損耗怎么測試
    • 發布時間:2020-11-23 15:51:31
    • 來源:
    • 閱讀次數:
    MOS管知識|MOS管功率損耗怎么測試
    MOS管功率損耗如何測試
    功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此,要求同時輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態。一般直接驅動負載,帶載能力要強。功率MOSFET是較常使用的一類功率器件。
    “MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的縮寫,譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。
    它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安),用于功率輸出級的器件。
    功率MOSFET可分為增強型和耗盡型,按溝道分又可分為N溝道型和P溝道型。
    做開關電源,常用功率MOSFET。一般而言,MOS管制造商采用RDS(ON)參數來定義導通阻抗;對ORing FET應用來說,RDS(ON)也是最重要的器件特性。
    數據手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅動)電壓VGS以及流經開關的電流有關,但對于充分的柵極驅動,RDS(ON)是一個相對靜態參數。
    若設計人員試圖開發尺寸最小、成本最低的電源,低導通阻抗更是加倍的重要。在電源設計中,每個電源常常需要多個ORing MOS管并行工作,需要多個器件來把電流傳送給負載。
    在許多情況下,設計人員必須并聯MOS管,以有效降低RDS(ON)。在DC電路中,并聯電阻性負載的等效阻抗小于每個負載單獨的阻抗值。比如,兩個并聯的2Ω電阻相當于一個1Ω的電阻。
    因此,一般來說,一個低RDS(ON)值的MOS管,具備大額定電流,就可以讓設計人員把電源中所用MOS管的數目減至最少。
    除了RDS(ON)之外,在MOS管的選擇過程中還有幾個MOS管參數也對電源設計人員非常重要。許多情況下,設計人員應該密切關注數據手冊上的安全工作區(SOA)曲線,該曲線同時描述了漏極電流和漏源電壓的關系。
    基本上,SOA定義了MOSFET能夠安全工作的電源電壓和電流。在ORingFET應用中,首要問題是:在“完全導通狀態”下FET的電流傳送能力。實際上無需SOA曲線也可以獲得漏極電流值。
    MOSFET在關斷瞬間,會承受到最大的電壓沖擊,這個最大電壓跟負載有很大關系:如果是阻性負載,那就是來自VCC端的電壓,但還需要考慮電源本身的質量,如果電源質量不佳,需要在前級加些必要的保護措施;
    如果是感性負載,那承受的電壓會大不少,因為電感在關斷瞬間會產生感生電動勢(電磁感應定律),其方向與VCC方向相同(楞次定律),承受的最大電壓為VCC與感生電動勢之和;如果是變壓器負載的話,在感性負載基礎上還需要再加上漏感引起的感應電動勢。
    對于以上幾種負載情況,在計算出(或測出)最大電壓后,再留有20%~30%的裕量,就可以確定所需要的MOSFET的額定電壓VDS值。
    在這里需要說的是,為了更好的成本和更穩定的性能,可以選擇在感性負載上并聯續流二極管與電感在關斷時構成續流回路,釋放掉感生能量來保護MOSFET,如果必要,還可以再加上RC緩沖電路(Snubber)來抑制電壓尖峰。(注意二極管方向不要接反。當然,也可以直接選擇VDS足夠大的MOSFET。)
    額定電壓確定后,電流就可以計算出來了。但這里需要考慮兩個參數:一個是連續工作電流值和脈沖電流尖峰值(Spike和Surge),這兩個參數決定你應該選多大的額定電流值。
    MOS管功率損耗怎么測?
    MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節,但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上,PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸索,那么該如何量化評估呢?
    1.MOS管功率損耗的原理圖和實測圖
    一般來說,開關管工作的功率損耗原理圖如圖 1所示,主要的能量損耗體現在“導通過程”和“關閉過程”,小部分能量體現在“導通狀態”,而關閉狀態的損耗很小幾乎為0,可以忽略不計。
    MOS管功率損耗
    MOS管功率損耗
    MOSFET和PFC MOSFET的測試區別
    對于普通MOS管來說,不同周期的電壓和電流波形幾乎完全相同,因此整體功率損耗只需要任意測量一個周期即可。
    但對于PFC MOS管來說,不同周期的電壓和電流波形都不相同,因此功率損耗的準確評估依賴較長時間(一般大于10ms),較高采樣率(推薦1G采樣率)的波形捕獲,此時需要的存儲深度推薦在10M以上,并且要求所有原始數據(不能抽樣)都要參與功率損耗計算,實測截圖如圖3所示。
    MOS管功率損耗
    開關損耗測試對于器件評估非常關鍵,通過示波器的電源分析軟件,可以對器件的功率損耗進行評估。
    烜芯微專業制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等20年,工廠直銷省20%,4000家電路電器生產企業選用,專業的工程師幫您穩定好每一批產品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
    相關閱讀
    主站蜘蛛池模板: 老板办公室乳摸gif动态图| 亚洲色婷婷一区二区三区| 国产一区二区三区不卡在线观看| 亚洲伊人色欲综合网| 中国老太婆野外xxxx| 国产精品视频永久免费播放| 亚洲人成网站在线播放大全| 亚洲一区二区三区av无码| 狂猛欧美激情性xxxx大豆行情| 国产98在线 | 免费、| 大地资源网高清在线播放 | 色偷偷人人澡人人爽人人模| 亚洲欧美日韩中文无线码| 男同gay自慰网站| 亚洲h在线播放在线观看h| 亚洲国产av一区二区三区四区| 久久久久99精品成人片三人毛片 | 国产卡一卡二卡三| 国产寡妇树林野战在线播放| 久久水蜜桃亚洲av无码精品| а天堂中文在线官网| 东北粗壮熟女丰满高潮 | 国产欧美久久久精品影院| 国产日产精品久久久久快鸭 | 久久精品国产亚洲av香蕉| 韩国三级丰满少妇高潮| 日韩欧美中文字幕公布| 久久国产精品-国产精品| 四虎精品影院永久在线播放| 人人狠狠综合久久亚洲| 日本丰满少妇裸体自慰| 日本va欧美va精品发布| 少妇人妻综合久久中文字幕| 精品国产一区二区三区av 性色 | 免费精品99久久国产综合精品 | 亚洲av综合avav中文| 精品国产va久久久久久久冰| 久久午夜羞羞影院免费观看| 3d动漫精品啪啪一区二区下载| 国产日产欧洲无码视频| 欧美黑人巨大xxxxx视频|