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二極管、三極管、MOS管、橋堆

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    • 發(fā)布時(shí)間:2021-09-01 18:45:47
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    二極管,三極管,MOS管的原理詳情
    PN結(jié) 二極管 三極管 MOS管
    導(dǎo)體:很容易導(dǎo)電的物體,如金、銀、銅、鐵等。
    絕緣體:不容易導(dǎo)電或者完全不導(dǎo)電的物體,如塑料、橡膠、陶瓷、玻璃等。
    半導(dǎo)體:導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì),如硅(Si)、鍺(Ge)、金屬氧化物等。硅和鍺是4價(jià)元素,原子的最外層軌道上有4個(gè)價(jià)電子。
    N型半導(dǎo)體:在純凈半導(dǎo)體硅或鍺(4價(jià))中摻入磷、砷等5價(jià)元素,由于這類元素的原子最外層有5個(gè)價(jià)電子,故在構(gòu)成的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)中,由于存在一個(gè)多余的價(jià)電子而產(chǎn)生大量自由電子,這種半導(dǎo)體主要靠自由電子導(dǎo)電,稱為電子半導(dǎo)體或N型半導(dǎo)體,其中自由電子為多數(shù)載流子,熱激發(fā)形成的空穴為少數(shù)載流子。
     P型半導(dǎo)體:在純凈半導(dǎo)體硅或鍺(4價(jià))中摻入硼、鋁等3價(jià)元素,由于這類元素的原子最外層只有3個(gè)價(jià)電子,故在構(gòu)成的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)中,由于缺少價(jià)電子而形成大量空穴,這類摻雜后的半導(dǎo)體其導(dǎo)電作用主要靠空穴運(yùn)動(dòng),稱為空穴半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體,其中空穴為多數(shù)載流子,熱激發(fā)形成的自由電子是少數(shù)載流子。
    二極管 三極管 MOS管 原理
    PN結(jié)
    PN結(jié):將一塊半導(dǎo)體的一側(cè)摻雜成P型半導(dǎo)體,另一側(cè)摻雜成N型半導(dǎo)體,在兩種半導(dǎo)體的交界面處將形成一個(gè)特殊的薄層。
    二極管 三極管 MOS管 原理
    二極管 三極管 MOS管 原理
    半導(dǎo)體中載流子有擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)兩種運(yùn)動(dòng)方式。載流子在電場(chǎng)作用下的定向運(yùn)動(dòng)稱為漂移運(yùn)動(dòng)。
    在半導(dǎo)體中,如果載流子濃度分布不均勻,因?yàn)闈舛炔睿d流子將會(huì)從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域運(yùn)動(dòng),這種運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散
    擴(kuò)散與漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡形成一定寬度的PN結(jié),形成空間電荷區(qū)產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng)
    外加正向電壓-正向偏置
    外加電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)方向相反,內(nèi)電場(chǎng)削弱,擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)大大超過(guò)漂移運(yùn)動(dòng),N區(qū)電子不斷擴(kuò)散到P區(qū),P區(qū)空穴不斷擴(kuò)散到N區(qū),形成較大的正向電流,這時(shí)稱PN結(jié)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。
    二極管 三極管 MOS管 原理
    PN 結(jié)加反向電壓(反向偏置)
    電流方向相反,導(dǎo)通截止
    晶體二極管
    • 概念
    一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線并用管殼封裝起來(lái),就構(gòu)成了半導(dǎo)體二極管,簡(jiǎn)稱二極管。符號(hào)用VD表示。
    半導(dǎo)體二極管按其結(jié)構(gòu)不同可分為點(diǎn)接觸型和面接觸型兩類。
    點(diǎn)接觸型二極管PN結(jié)面積很小,結(jié)電容很小,多用于高頻檢波及脈沖數(shù)字電路中的開(kāi)關(guān)元件。
    面接觸型二極管PN結(jié)面積大,結(jié)電容也小,允許通過(guò)電流大,多用在低頻整流、檢波等電路中。
    二極管 三極管 MOS管 原理
    • 特性
    正向特性(導(dǎo)通)
    反向特性(截止)
    反向擊穿
    二極管 三極管 MOS管 原理
    晶體三極管
    概念
    半導(dǎo)體三極管是由兩個(gè)背靠背的PN結(jié)構(gòu)成的。重要特性是具有電流放大作用和開(kāi)關(guān)作用,常見(jiàn)的有平面型和合金型兩類。在工作過(guò)程中,兩種載流子(電子和空穴)都參與導(dǎo)電,故又稱為雙極型晶體管,簡(jiǎn)稱晶體管或三極管。
    兩個(gè)PN結(jié),把半導(dǎo)體分成三個(gè)區(qū)域(三區(qū)二結(jié))。這三個(gè)區(qū)域的排列,可以是N-P-N,也可以是P-N-P。因此,雙極型三極管有兩種類型:NPN型和PNP型。
    NPN型
    二極管 三極管 MOS管 原理
    PNP型
    二極管 三極管 MOS管 原理
    工作于放大狀態(tài)的半導(dǎo)體三極管
    條件:
    內(nèi)部:發(fā)射區(qū)高摻雜,基區(qū)很薄,集電結(jié)面積大
    外部:發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏
    二極管 三極管 MOS管 原理
    二極管 三極管 MOS管 原理
    大量電子N2通過(guò)很薄的基極被集電極吸收,少量電子N1在基極與空穴復(fù)合。N2和N1的比例由三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定。在不考慮ICBO時(shí):
    IC/IB=N2/N1=β
    MOS晶體管
    概念
    NMOS,指的是利用電子來(lái)傳導(dǎo)電性信號(hào)的金氧半晶體管。NMOS的電路符號(hào)如下圖,而其結(jié)構(gòu)圖如左圖所示,是由負(fù)型摻雜形成的漏極與源極,與在氧化層上的閘極所構(gòu)成。
    二極管 三極管 MOS管 原理
    PMOS,指的是利用空穴來(lái)傳導(dǎo)電性信號(hào)的金氧半導(dǎo)體。PMOS的電路符號(hào)如下圖,而其結(jié)構(gòu)則如右圖所示,是由正型摻雜形成的漏極(drain)及源極(source),與閘極(gate)及閘極下面的氧化層所構(gòu)成。
    二極管 三極管 MOS管 原理
    NMOS
    N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)
    取一塊P型半導(dǎo)體作為襯底,用B表示。
    用氧化工藝生成一層SiO2 薄膜絕緣層。
    然后用光刻工藝腐蝕出兩個(gè)孔。
    擴(kuò)散兩個(gè)高摻雜的N型區(qū)。從而形成兩個(gè)PN結(jié)。(綠色部分)
    從N型區(qū)引出電極,一個(gè)是漏極D,一個(gè)是源極S。
    在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G。
    N溝道增強(qiáng)型MOSFET的符號(hào)如左圖所示。左面的一個(gè)襯底在內(nèi)部與源極相連,右面的一個(gè)沒(méi)有連接,使用時(shí)需要在外部連接。
    二極管 三極管 MOS管 原理
    二極管 三極管 MOS管 原理
    N溝道增強(qiáng)型MOSFET的工作原理
    對(duì)N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)三極管的工作原理,分兩個(gè)方面進(jìn)行討論,一是柵源電壓UGS對(duì)溝道會(huì)產(chǎn)生影響,二是漏源電壓UDS也會(huì)對(duì)溝道產(chǎn)生影響,從而對(duì)輸出電流,即漏極電流ID產(chǎn)生影響。
    柵源電壓UGS的控制作用
    先令漏源電壓UDS=0,加入柵源電壓UGS以后并不斷增加。UGS帶給柵極正電荷,會(huì)將正對(duì)SiO2層的表面下的襯底中的空穴推走,從而形成一層負(fù)離子層,即耗盡層,用綠色的區(qū)域表示。同時(shí)會(huì)在柵極下的表層感生一定的電子電荷,若電子數(shù)量較多,從而在漏源之間可形成導(dǎo)電溝道。溝道中的電子和P型襯底的多子導(dǎo)電性質(zhì)相反,稱為反型層。此時(shí)若加上UDS ,就會(huì)有漏極電流ID產(chǎn)生。當(dāng)UGS較小時(shí),不能形成有效的溝道,盡管加有UDS ,也不能形成ID 。當(dāng)增加UGS,使ID剛剛出現(xiàn)時(shí),對(duì)應(yīng)的UGS稱為開(kāi)啟電壓,用UGS(th)或UT表示。
    二極管 三極管 MOS管 原理
    漏源電壓UDS的控制作用
    設(shè)UGS>UGS(th),增加UDS,此時(shí)溝道的變化如下。
    顯然漏源電壓會(huì)對(duì)溝道產(chǎn)生影響,因?yàn)樵礃O和襯底相連接,所以加入U(xiǎn)DS后, UDS將沿漏到源逐漸降落在溝道內(nèi),漏極和襯底之間反偏最大,PN結(jié)的寬度最大。所以加入U(xiǎn)DS后,在漏源之間會(huì)形成一個(gè)傾斜的PN結(jié)區(qū),從而影響溝道的導(dǎo)電性。
    當(dāng)UDS進(jìn)一步增加時(shí), ID會(huì)不斷增加,同時(shí),漏端的耗盡層上移,會(huì)在漏端出現(xiàn)夾斷,這種狀態(tài)稱為預(yù)夾斷。
    當(dāng)UDS進(jìn)一步增加時(shí), 漏端的耗盡層向源極伸展,此時(shí)ID基本不再增加,增加的UDS基本上降落在夾斷區(qū)。
    二極管 三極管 MOS管 原理
    N溝道耗盡型MOSFET
    N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)和符號(hào)如下圖所示,它是在柵極下方的SiO2絕緣層中摻入了一定量的正離子。所以當(dāng)UGS=0時(shí),這些正離子已經(jīng)感生出電子形成導(dǎo)電溝道。于是,只要有漏源電壓,就有漏極電流存在。
    二極管 三極管 MOS管 原理
    當(dāng)UGS=0時(shí),對(duì)應(yīng)的漏極電流用IDSS表示。當(dāng)UGS>0時(shí),將使ID進(jìn)一步增加。UGS<0時(shí),隨著UGS的減小漏極電流逐漸減小,直至ID=0。對(duì)應(yīng)ID=0的UGS稱為夾斷電壓,用符號(hào)UGS(off)表示,有時(shí)也用UP表示。N溝道耗盡型MOSFET的轉(zhuǎn)移特性曲線如右上圖所示。
    場(chǎng)效應(yīng)管符號(hào)的說(shuō)明
    二極管 三極管 MOS管 原理
    如果是P溝道,箭頭則向外
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