高邊驅(qū)動(dòng)
高邊驅(qū)動(dòng)：開(kāi)關(guān)位于電源和負(fù)載之間。
高邊驅(qū)動(dòng)是指通過(guò)直接在用電器或者驅(qū)動(dòng)裝置前通過(guò)在電源線閉合開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)裝置的使能。高邊驅(qū)動(dòng)形象點(diǎn)說(shuō)，像在電路的電源端加了一個(gè)可控開(kāi)關(guān)。高邊驅(qū)動(dòng)就是控制這個(gè)開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)。
高邊驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單理解：負(fù)載的一端默認(rèn)與電路的負(fù)級(jí)即地保持連接，負(fù)載的另一端與開(kāi)關(guān)連接，當(dāng)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，負(fù)載的另一端與電源連接，負(fù)載開(kāi)始工作，當(dāng)開(kāi)關(guān)與關(guān)斷時(shí)，負(fù)載的另一端與電源斷開(kāi)，負(fù)載停止工作。高邊驅(qū)動(dòng)（High Side Drivers），簡(jiǎn)稱為HSD。
高邊驅(qū)動(dòng)電路
P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管和N溝道增強(qiáng)型MOS晶體管都可以用作高邊驅(qū)動(dòng)，兩者的結(jié)構(gòu)和工作原理都有所不同。
PMOS管作高邊驅(qū)動(dòng)時(shí)，當(dāng)VGS < VTH，NMOS管打開(kāi)導(dǎo)通，此時(shí)Vo輸出為高，可以驅(qū)動(dòng)外部負(fù)載；當(dāng)VGS > VTH，NMOS管關(guān)閉，此時(shí)Vo輸出為低，輸出端關(guān)閉。
當(dāng)PMOS由打開(kāi)到關(guān)閉的過(guò)程中，感性負(fù)載會(huì)一直放電，從而在下降過(guò)程中出現(xiàn)箝位。
圖：PMOS作高邊驅(qū)動(dòng)
NMOS管作高邊驅(qū)動(dòng)時(shí)，當(dāng)VGS < VTH，NMOS管關(guān)閉，此時(shí)Vo輸出為低，輸出端關(guān)閉；當(dāng)VGS > VTH，NMOS管打開(kāi)導(dǎo)通，此時(shí)Vo輸出為高，可以驅(qū)動(dòng)外部負(fù)載，而NMOS導(dǎo)通時(shí)，VS近似為UB，故而VG須大于UB（13V），這便需要一個(gè)Pump將輸入端的電壓提高，如圖所示。
圖：NMOS管作高邊驅(qū)動(dòng)
測(cè)試高邊驅(qū)動(dòng)時(shí)步驟基本和測(cè)試低邊驅(qū)動(dòng)相同，區(qū)別的是根據(jù)不同類型MOS管，其控制導(dǎo)通和關(guān)斷的順序不致。
PMOS管制作工藝復(fù)雜，成本較高；而NMOS管作高邊驅(qū)動(dòng)，為了有較高輸入電壓，還需額外增加一個(gè)Pump。
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