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  • 正向恢復時間與反向恢復時間解析
    • 發布時間:2024-05-09 16:51:20
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    正向恢復時間與反向恢復時間解析
    正向恢復時間
    正向恢復時間的定義:從二極管反向截止狀態到指定的正向導通狀態所需要的時間。
    正向恢復時間產生的原因:
    二極管導通時兩端的電壓如圖
    正向恢復時間 反向恢復時間
    可以看到在二極管的到通過程中有一個十分明顯的電壓過程。
    這個現象的成因:
    主要在恒流負載的驅動下,假設電流比較大,階躍速度比較快。此時由于二極管尚未完全導通,導致阻抗較高,因此會引起比較高的正向壓降,在做大電流,快速階躍的應用時應當注意這種現象。
    對于在二極管導通的過程中阻抗的成因有兩部分,主要因素是因為在PN結中,電子的漂移速度是有限的,因此無法響應瞬間加載到二極管兩端的偏置電壓,另一方面則是因為寄生電感的影響。
    但是我們在實際使用的過程中很難觀測到這種現象。一方面是因為我們驅動二極管的時候大多時恒壓源驅動的,很少有恒流源的情況,另一方面,能夠達到ns級別響應的恒流源也不常見,因此在實際二極管的使用過程中很難觀測到這種現象
    反向恢復時間
    反向恢復時間的定義:在正向電流按照指定的斜率衰減的條件下,二極管從正向導通到反向截止電流達到指定水平的時間。
    正向恢復時間 反向恢復時間
    二極管的反向恢復產生的原因:
    二極管在開關轉換過程中出現的反向恢復過程,實質上由于電荷存儲效應引起的,反向恢復時間就是存儲電荷消失所需要的時間。
    反向恢復過程:
    正向恢復時間 反向恢復時間
    在圖1所示的二極管電路中,加入一個如圖2所示的輸入電壓。即在 0~t1 時間內,輸入為 +VF,二極管導通,電路中有電流流過。
    假設二極管的正向壓降為 VD,當 VF 遠大于 VD 時,VD 可忽略不計;如果在 t1 時刻,輸入V1 突然從 +VF 變為 -VR,在理想情況下,二極管將即刻變為截止狀態,電路中只有很小的反向漏電流。
    但在實際情況中,二極管并不會立即變為截止狀態,而是先有正向的 IF 變為一個很大的反向電流 IR  = VR/RL,這個反向電流會維持一段時間 ts 后才開始逐漸下降,再經過 tt 時間后,下降到一個很小的數值 0.1*IR,這時二極管才會進入反向截止狀態。該過程如圖3所示。
    一般將二極管從正向導通變為反向截止的過程成為反向恢復過程,其中 ts 稱為存儲時間,tt 稱為渡越時間,tre  =ts +tt 稱為反向恢復時間。
    二極管的開關速度受到反向恢復時間的限制。
    產生上述現象的原因是由于電荷存儲效應。
    由于二極管外加正向電壓+VF 時,P 區的空穴向 N 區擴散,N 區的電子向 P 區擴散,不僅使得耗盡層變窄,而且使得載流子有相當數量的存儲,在 P 區內存儲了電子,在N 區內存儲了空穴,它們都是非平衡少子。
    空穴由 P 區擴散到 N 區后,并不是立即與 N 區中的電子復合后消失,而是在一定的路程LP(擴散長度)內,一方面繼續擴散,一方面與電子復合消失,這樣就會在LP范圍內存儲一定數量的空穴,并建立起一定的空穴濃度分布,靠近 PN 結邊緣的濃度高,離 PN 結越遠,濃度越小。
    正向電流越大,存儲的空穴數目越多,濃度分布的梯度也越大。電子擴散到 P 區的情況類似。
    把正向導通時,非平衡少子積累的現象叫做電荷存儲效應。
    當輸入電壓突然由+VF 變為-VR 時, P 區存儲的電子和 N 區存儲的空穴不會馬上消失,它們會通過以下兩個途徑逐漸減少:
    1.在反向電場的作用下, P 區電子被拉回 N 區, N 區空穴被拉回 P 區,形成反向漂移電流 IR ;
    2.與多數載流子復合消失。
    在這些存儲電荷消失之前,PN結仍處于正向偏置,即耗盡層仍然很窄,PN結的電阻仍然很小,與 Rl 相比可以忽略,所以此時反向電流IR  = VR +VD/RL 。VD表示PN結兩端的正向壓降,一般有VR >>VD,即IR  = VR /RL。
    在這段時間,IR基本上保持不變,主要由VR和 Rl決定。經過 ts 時間后,P 區和 N 區所存儲的電荷已顯著減小,耗盡層逐漸變寬,反向電流 IR 逐漸減小到正常反向飽和電流的數值,經過 tt 時間后,二極管轉為截止狀態。
    由上可知,二極管的反向恢復時間就是存儲電荷消失所需要的時間。如果反向脈沖的持續時間比反向恢復時間 tre  =ts +tt 短,則二極管在正、反方向都可以導通,起不到開關的作用。
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