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MOS管開(kāi)通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間定義解析
2022-05-10
MOS管開(kāi)通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間定義解析（一）在應(yīng)用過(guò)程中，以下幾個(gè)特性是經(jīng)常需要考慮的：1、V（BR）DSS 的正溫度系數(shù)特性。這一有異于雙極型
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MOS管損耗的8個(gè)部分詳解
2022-05-10
MOS管損耗的8個(gè)部分詳解MOSFET的工作損耗在器件設(shè)計(jì)選擇過(guò)程中需要對(duì) MOSFET 的工作過(guò)程損耗進(jìn)行先期計(jì)算（所謂先期計(jì)算是指在沒(méi)能夠測(cè)試
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開(kāi)關(guān)電源,同步整流和異步整流分析
2022-05-09
開(kāi)關(guān)電源,同步整流和異步整流分析DC DC轉(zhuǎn)換器的非絕緣型降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器有異步整流（二極管）式和同步整流式兩種。1 異步整流式是較早使用的
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MOS管被ESD擊穿,解決方案介紹
2022-05-09
MOS管被ESD擊穿,解決方案介紹MOS管ESD擊穿改善MOS管具有防靜電、防浪涌保護(hù)電路不受侵害的優(yōu)點(diǎn)而深受電子行業(yè)的喜愛(ài)，ESD靜電無(wú)處不在，存
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常用的ESD保護(hù)器件與性能比較介紹
2022-05-09
常用的ESD保護(hù)器件與性能比較介紹常用的ESD保護(hù)器件主要有Diode、Resistor、P NMOS、BJT、SCR等，因其具有雪崩擊穿、雪崩與注入等特性，能
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解析放大電路的頻率響應(yīng)與帶寬介紹
2022-05-07
解析放大電路的頻率響應(yīng)與帶寬介紹放大電路中總是存在一些電抗性元件，如電容、電感、電子器件的極間電容以及接線電容與接線電感等。因此，
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碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)的雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器介紹
2022-05-07
碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)的雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器介紹電池供電的便攜設(shè)備越來(lái)越多，在今日生活中扮演的角色也越來(lái)越重要。這個(gè)趨勢(shì)還取決于高能量?jī)?chǔ)
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關(guān)于快恢復(fù)二極管和應(yīng)用拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)介紹
2022-05-07
關(guān)于快恢復(fù)二極管和應(yīng)用拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)介紹快恢復(fù)二極管（簡(jiǎn)稱FRD）是一種具有開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電
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CMOS功率開(kāi)關(guān)反向電壓保護(hù)電路介紹
2022-05-06
CMOS功率開(kāi)關(guān)反向電壓保護(hù)電路介紹CMOS 電路具有成本低、功耗低、速度快等優(yōu)點(diǎn)。各種接口電路，如 USB ， IEEE 1394 ， RS422 485等
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解析二極管反向擊穿電壓是多少
2022-05-06
解析二極管反向擊穿電壓是多少二極管反向擊穿電壓一般是工作電壓2-3倍。二極管反向擊穿時(shí)的電壓值。擊穿時(shí)反向電流劇增，二極管的單向?qū)щ?
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二極管應(yīng)用電路故障處理方法解析
2022-05-06
二極管應(yīng)用電路故障處理方法解析1 二極管整流電路及故障處理利用二極管的正向?qū)?、反向截止的特性，可以?shí)現(xiàn)電路的整流。二極管構(gòu)成的簡(jiǎn)
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NMOS與PMOS應(yīng)用電路設(shè)計(jì)圖文介紹
2022-05-05
NMOS與PMOS應(yīng)用電路設(shè)計(jì)圖文介紹在實(shí)際項(xiàng)目中，我們基本都用增強(qiáng)型，分為N溝道和P溝道兩種。我們常用的是NMOS，因?yàn)槠鋵?dǎo)通電阻小，且容易制