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MOS管符號(hào)特性規(guī)則詳解
2021-09-13
MOS管符號(hào)特性規(guī)則詳解MOS管符號(hào)MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體
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MOS管的應(yīng)用理解詳情
2021-09-13
MOS管的應(yīng)用理解詳情MOS管，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管， 簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管。1: MOS管 分類工藝上，分網(wǎng)
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MOS管基本驅(qū)動(dòng)電路詳解
2021-09-13
MOS管基本驅(qū)動(dòng)電路詳解MOS管與晶體管的差異：雙極晶體管：要在集電極中產(chǎn)生電流，必須在基極端子和發(fā)射極端子之間施加電流。MOSFET：在柵極
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MOS管的開(kāi)關(guān)特性知識(shí)詳解
2021-09-11
MOS管的開(kāi)關(guān)特性知識(shí)詳解數(shù)字電路中MOS管常被用來(lái)作開(kāi)關(guān)管，所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開(kāi)關(guān)的電路中，根據(jù)構(gòu)成和導(dǎo)通特性可分為四類MOS管：g
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MOS管導(dǎo)通條件圖解
2021-09-11
MOS管導(dǎo)通條件圖解PMOS增強(qiáng)型管：uG-uS<0 , 且 |uG-uS|>|uGS(th)| ， uGS|th|是開(kāi)啟電壓；NMOS增強(qiáng)型管：uG-uS>0，且 |uG-uS|>|uGS(t
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MOS管應(yīng)用,MOS管與三極管的區(qū)別,MOS管控制電機(jī)分析
2021-09-11
MOS管應(yīng)用,MOS管與三極管的區(qū)別,MOS管控制電機(jī)分析開(kāi)關(guān)管：三極管 和 MOS管，當(dāng)三極管上通過(guò)的電流比較大時(shí)(功耗比較大)，這時(shí)我們就需要
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MOS管的引腳圖詳解
2021-09-10
MOS管的引腳圖詳解MOS管的引腳，G、S、D分別代表什么？G：gate 柵極S：source 源極D：drain 漏極MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxid)—半
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MOS管原理用法詳情介紹
2021-09-10
MOS管原理用法詳情介紹一、 一句話MOS管工作原理NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng))，只要柵極電
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mos管的驅(qū)動(dòng)電路介紹
2021-09-10
mos管的驅(qū)動(dòng)電路介紹注意Q10的基極和D5的陰極直接相連Q10和Q9是輪流導(dǎo)通。PWM信號(hào)為正的時(shí)候，Q9導(dǎo)通，因?yàn)镈5，Q10的基極電位比發(fā)射極電位
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MOS管開(kāi)關(guān)時(shí)的米勒效應(yīng)解析
2021-09-09
MOS管開(kāi)關(guān)時(shí)的米勒效應(yīng)解析一、MOSFET的開(kāi)通過(guò)程MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程，可以簡(jiǎn)單的理解為驅(qū)動(dòng)源對(duì)MOSFET的輸入電容（主要是柵源極電容Cgs）
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選適合的場(chǎng)效應(yīng)管,訣竅介紹
2021-09-09
選適合的場(chǎng)效應(yīng)管,訣竅介紹一、場(chǎng)效應(yīng)晶體管選擇的重要性隨著電子產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度，我們對(duì)電子產(chǎn)品性能的要求也越來(lái)越高，在一些電子產(chǎn)
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的四大注意事項(xiàng)解析
2021-09-09
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的四大注意事項(xiàng)解析場(chǎng)效應(yīng)晶體管在運(yùn)用時(shí)除了留意不要使主要參數(shù)超越允許值外，對(duì)于絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管還應(yīng)特別留意由于感應(yīng)