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解析IGBT的開關頻率上限有多高
2020-12-14
解析IGBT的開關頻率上限有多高首先，開關頻率是指IGBT在一秒鐘內開關次數。而在確定的母線電壓和導通電流下，IGBT每次開關都會產生一定的損
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IGBT溫度與功率損耗的估算
2020-12-14
IGBT溫度與功率損耗的估算IGBT模塊的損耗IGBT模塊的損耗源于內部IGBT和二極管（續流FWD、整流）芯片的損耗，主要是IGBT和FWD產生的損耗。IG
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二極管,三極管與穩壓管表判斷好壞
2020-12-14
二極管,三極管與穩壓管表判斷好壞1 用數字萬用表的二極管檔位測量二極管。測二極管時，使用萬用表的二極管的檔位。若將紅表筆接二極管陽（
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二極管的特性和應用
2020-12-14
二極管的特性和應用幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導體器件之一，其應
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場效應管使用優勢，等詳細解析
2020-12-14
場效應管使用優勢，等詳細解析場效應管使用優勢，特點解析場效應管的使用優勢有哪些?場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在
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MOS管設計知識-傳輸管TG與組合邏輯延時解析
2020-12-14
MOS管設計知識-傳輸管TG與組合邏輯延時解析MOS管的基本性質MOS管，即場效應管，四端器件，S、D、G、B四個端口可以實現開和關的邏輯狀態，進
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MOS管的GS波形詳細解析
2020-12-14
MOS管的GS波形詳細解析對于電源工程師來講，很多時候都在看波形，看輸入波形，MOS開關波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS管的G
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快速查找MOS管損壞的原因
2020-12-12
快速查找MOS管損壞的原因Q：什么原因會導致MOS管損壞？A：導致MOS管損壞的主要原因可總結為五種：雪崩破壞、器件發熱損壞、內置二極管破壞
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MOS管與簡單CMOS邏輯電平電路
2020-12-12
MOS管與簡單CMOS邏輯電平電路現代單片機主要是采用CMOS工藝制成的。01MOS管MOS管又分為兩種類型：N型和P型。如下圖所示：以N型管為例，2端
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MOS管怎么檢測好壞
2020-12-12
MOS管怎么檢測好壞MOS管是金屬 —氧化物 —半導體場效應晶體管，或稱是金屬—絕緣體—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都
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功率mos管為什么會被燒毀
2020-12-12
功率mos管為什么會被燒毀mos在控制器電路中的工作狀態：開通過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態、關斷過程（由導通到截止的過渡過程
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怎么處理MOS管小電流發熱
2020-12-12
怎么處理MOS管小電流發熱MOSFET的擊穿有哪幾種？Source、Drain、Gate場效應管的三極：源級S 漏級D 柵級G（這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針