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SiC MOSFET輸出短路保護電路設計介紹
2023-06-25
SiC MOSFET輸出短路保護電路設計介紹SiC MOSFET具有輸入阻抗高、高頻性能好、單個驅動功率小和無需并聯均流控制等顯著優勢。隨著 SiC M
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SiC MOSFET RC吸收電路設計,參數計算介紹
2023-06-21
SiC MOSFET RC吸收電路設計,參數計算介紹本文提出了一種 SiC MOSFET 的漏源極之間充放電型 RC吸收電路參數的計算方法。首先根據波形
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SiC MOSFET短路保護理解解析
2023-06-21
SiC MOSFET短路保護理解解析SiC MOSFET短路保護1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積，短路時候散熱能力不及IGBT。2、IGBT短路后能
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MOSFET驅動器電路配置圖文介紹
2023-06-21
MOSFET驅動器電路配置圖文介紹MOSFET驅動器柵極驅動典型配置使用MOSFET驅動器時可以采用許多不同的電路配置。很多時候，由于高的峰值電流、
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MOSFET驅動器的功率損耗三個公式介紹
2023-06-20
MOSFET驅動器的功率損耗三個公式介紹MOSFET驅動器的功耗對MOSFET的柵極進行充電和放電需要同樣的能量，無論充放電過程快或慢（柵極電壓的上
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電路設計,MOSFET內部二極管應用逆變器介紹
2023-06-20
電路設計,MOSFET內部二極管應用逆變器介紹MOSFET體內二極管MOSFET中用內部二極管，保護器件免受因連接的電感性負載,產生的反向EMF尖峰的影
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MOSFET的寄生電容,靜電容量解析
2023-06-20
MOSFET的寄生電容,靜電容量解析MOSFET的靜電容量在構造上，功率MOSFET都存在寄生電容。MOSFET的G(柵極)端子和其他的電極間由氧化層絕緣，在
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MOSFET的開關及其溫度特性介紹
2023-06-17
MOSFET的開關及其溫度特性介紹關于MOSFET的開關時間柵極電壓ON OFF之后，MOSFET才ON OFF。這個延遲時間為開關時間。開關時間如表1所示種類
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電機PWM驅動,MOSFET寄生二極管功耗介紹
2023-06-17
電機PWM驅動,MOSFET寄生二極管功耗介紹本文分析一下使用有刷直流電機驅動器IC進行PWM驅動時，通過輸出MOSFET的寄生二極管進行電流再生時的
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MOSFET的截止頻率計算介紹
2023-06-17
MOSFET的截止頻率計算介紹MOSFET的截止頻率定義在MOS源極和漏極接交流地時，器件的小信號電流增益降至1的頻率稱為：transit frequency(fT)
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MOS管各種泄漏電流的原因解析
2023-06-17
MOS管各種泄漏電流的原因解析MOS 晶體管正在按比例縮小，以最大限度地提高其在集成電路內的封裝密度。這導致氧化層厚度的減少，進而降低了
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MOS管理想的開關特性,實用開關特性介紹
2023-06-16
MOS管理想的開關特性,實用開關特性介紹電子開關半導體開關是電子電路中的重要方面之一。像 BJT 或mos管 之類的半導體器件通常作為開關操