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深圳市烜芯微科技有限公司
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二極管的直流電阻與動態(tài)電阻怎么區(qū)別
2019-12-07
二極管的直流電阻與動態(tài)電阻怎么區(qū)別二極管是一種非線性器件，它對直流和交流(或者說動態(tài)量)呈現(xiàn)出不同的等效電阻。二極管的直流電阻是其工
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對二極管壓降變化進(jìn)行補(bǔ)償圖解
2019-12-07
對二極管壓降變化進(jìn)行補(bǔ)償圖解二極管產(chǎn)生的正向壓降跟整流特性一樣有用，它們隨溫度變化很大。這會增加損耗，并可能導(dǎo)致電源容許誤差。雖然
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抑制副邊整流二極管尖峰電壓
2019-12-07
抑制副邊整流二極管尖峰電壓前沿尖峰的一些抑制方法1選用軟恢復(fù)特性的肖特基二極管，或采用在整流管前串聯(lián)電感的方法比較有效，或在開關(guān)管
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開關(guān)電源中使用慢恢復(fù)二極管
2019-12-07
開關(guān)電源中使用慢恢復(fù)二極管由于開關(guān)電源始終處在打開和關(guān)閉的循環(huán)，這就要求開關(guān)電源中的器件有較高的強(qiáng)度和較短的反應(yīng)時(shí)間。通常來說，開
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開關(guān)電源輸出的三類整流二極管資料
2019-12-07
開關(guān)電源輸出的三類整流二極管資料變壓器與EMI 的關(guān)系開關(guān)電源中的整流二極管必須具有正向壓降低、快速恢復(fù)的特點(diǎn)，還應(yīng)具有足夠大的輸出
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動態(tài)光電二極管穿戴應(yīng)用
2019-12-07
動態(tài)光電二極管穿戴應(yīng)用想象一種不需要使用放大器的光電二極管。理論上，我們不必為了增強(qiáng)訊號而在光電二極管周圍加上復(fù)雜的模擬電路，就能
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抑制功率二極管反向恢復(fù)的3種方法對比
2019-12-07
抑制功率二極管反向恢復(fù)的3種方法對比高頻功率二極管在電力電子裝置中的應(yīng)用極其廣泛。但PN結(jié)功率二極管在由導(dǎo)通變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)過程中，存在
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分析mos場效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu)與工作原理-圖文解析
2019-12-02
mos場效應(yīng)管MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor，即金屬
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碳化硅(sic)二極管有哪些優(yōu)勢-提供高能效高功率
2019-12-02
碳化硅(SiC)二極管有哪些優(yōu)勢（sic）碳化硅JFET有著高輸入阻抗、低噪聲和線性度好等特點(diǎn)，是目前發(fā)展較快的碳化硅器件之一，并且率先實(shí)現(xiàn)了
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碳化硅二極管參數(shù)-碳化硅二極管現(xiàn)貨供應(yīng)商與選型方案參考
2019-12-02
碳化硅二極管參數(shù)碳化硅二極管介紹及優(yōu)勢碳化硅JFET有著高輸入阻抗、低噪聲和線性度好等特點(diǎn)，是目前發(fā)展較快的碳化硅器件之一，并且率先實(shí)
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低開啟電壓MOS管-低開啟電壓MOS管怎么進(jìn)行低功耗設(shè)計(jì)
2019-12-02
低開啟電壓MOS管低開啟電壓(YGS（th））也稱為柵極閾值電壓，這個(gè)數(shù)值的選擇在這里主要與用作比擬器的運(yùn)放有火。VMOS不像BJT，柵極相關(guān)于源
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低開啟電壓MOS管型號-低壓內(nèi)阻MOS管供應(yīng)商與參數(shù)資料
2019-12-02
低開啟電壓MOS管應(yīng)用對于一個(gè)電子產(chǎn)品，總功耗為該產(chǎn)品正常工作時(shí)的電壓與電流的乘積，這就是低功耗設(shè)計(jì)的需要注意事項(xiàng)之一。為了降低產(chǎn)品