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MOSFET柵極電壓對電流的影響-MOSFET柵極應(yīng)用電路解析
2019-08-30
MOSFET柵極簡介MOSFET柵極，場效應(yīng)管根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內(nèi)阻極高，
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常用逆變器MOS管選型封裝型號表-逆變器MOS管原理和電路
2019-08-30
逆變器MOS管選型及電路工作詳解（一）工作原理及電路這里主要是講述逆變器是由MOS場效應(yīng)管，普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場效
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功率MOSFET的電流應(yīng)用-功率MOSFET工作原理結(jié)構(gòu)
2019-08-29
功率MOSFET工作原理功率MOSFET是從小功率MOS管展開來的。但在結(jié)構(gòu)上，它們之間相差很大，為了更好天文解功率MOSFET的機理，首先來回想一下
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MOS管TO-247封裝尺寸與外形圖-TO-247封裝型號參數(shù)
2019-08-29
TO-247封裝MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護(hù)、冷卻的作用,同時還為芯
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MOS管散熱片檢測處理和怎么正確恰當(dāng)?shù)慕oMOS管加散熱片
2019-08-29
MOS管散熱片大功率逆變器MOS管，工作的時候，發(fā)熱量非常大，如果MOS管散熱效果不好，溫度過高就可能導(dǎo)致MOS管的燒毀，進(jìn)而可能導(dǎo)致整個電路
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igbt工作原理與實物接線圖-igbt接線時應(yīng)注意地方
2019-08-29
igbt工作原理及接線圖igbt簡介igbt工作原理及接線圖，我們先了解一下igbt是什么？IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極
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小功率場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)特性和分類-小功率場效應(yīng)管參數(shù)型號選
2019-08-29
小功率場效應(yīng)管小功率MOS場效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect T
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場效應(yīng)管irf3205供應(yīng)商-技術(shù)參數(shù)-場效應(yīng)管irf3205中文PDF資料
2019-08-28
場效應(yīng)管irf3205IR的HEXFET功率場效應(yīng)管irf3205采用先進(jìn)的工藝技術(shù)制造，具有極低的導(dǎo)通阻抗。場效應(yīng)管irf3205這種特性，加上快速的轉(zhuǎn)換速
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to263貼片mos管引腳圖與尺寸-to263貼片mos管參數(shù)型號
2019-08-28
to263貼片mos管引腳圖MOS管封裝說明MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護(hù)
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mos恒流電路-mos恒流電路在電源中的應(yīng)用和LED恒流驅(qū)動電路圖
2019-08-28
mos恒流電路mos恒流電路，由信號源和電壓控制電流源（VCCS）兩部分組成。正弦信號源采用直接數(shù)字頻率合成（DDS）技術(shù)，即以一定頻率連續(xù)從E
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MOSFET結(jié)構(gòu)和主要參數(shù)解析-全面的MOSFET驅(qū)動技術(shù)分析
2019-08-28
MOSFET簡介MOSFET的全稱為：metal oxide semiconductor field-effect transistor，中文通常稱之為，金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管 MOS
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mosfet驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)和?自舉升壓結(jié)構(gòu)雙電壓mosfet驅(qū)動電路?
2019-08-28
mosfet驅(qū)動mosfet驅(qū)動,跟雙極性晶體管相比，一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我