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仿真分享,小信號(hào)調(diào)諧放大器介紹
2022-11-30
仿真分享,小信號(hào)調(diào)諧放大器介紹Multisim仿真—小信號(hào)調(diào)諧放大器單調(diào)諧實(shí)驗(yàn)電路:簡(jiǎn)述通頻帶的測(cè)量方法:(1)逐點(diǎn)法在保持輸入信號(hào)大小不變的情
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NMOS,PMOS經(jīng)典電源開(kāi)關(guān)電路詳解
2022-11-30
NMOS,PMOS經(jīng)典電源開(kāi)關(guān)電路詳解電源開(kāi)關(guān)電路-NMOS、PMOSNMOS低邊開(kāi)關(guān)電路切換的是對(duì)地的導(dǎo)通，PMOS作為高邊開(kāi)關(guān)電路切換的是對(duì)電源的導(dǎo)通。
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NMOS與PMOS構(gòu)成的傳輸門(mén)介紹
2022-11-30
NMOS與PMOS構(gòu)成的傳輸門(mén)介紹傳輸門(mén)是由外部施加的邏輯電平控制的NMOS和PMOS晶體管組成的雙向開(kāi)關(guān)。傳輸門(mén)將PMOS和NMOS器件并聯(lián)連接在一起我
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NPN與PNP導(dǎo)通,做開(kāi)關(guān)應(yīng)用解析
2022-11-29
NPN與PNP導(dǎo)通,做開(kāi)關(guān)應(yīng)用解析NPN和PNP 是三極管的兩種類(lèi)型，一般的作用是放大和做開(kāi)關(guān)使用，下面從常見(jiàn)的驅(qū)動(dòng)蜂鳴器的電路來(lái)進(jìn)行分析。電
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PMOS,NMOS區(qū)分,記憶方法,制造工藝介紹
2022-11-29
PMOS,NMOS區(qū)分,記憶方法,制造工藝介紹記憶方法、繪圖：1 與SUB襯底(工藝中為N-Well P-Well)聯(lián)接的一端均為S源極，另一端為D漏極。符
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場(chǎng)效應(yīng)管的跨導(dǎo)gm理解與解析
2022-11-29
場(chǎng)效應(yīng)管的跨導(dǎo)gm理解與解析指輸出端電流的變化值與輸入端電壓的變化值之間的比值。在SI單位中，西門(mén)子公司，用符號(hào)，S；1西門(mén)子=1安培每伏
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MOS管,MOS管溝道/反型層解析
2022-11-29
MOS管,MOS管溝道 反型層解析MOSFET的核心部分是柵極及其下面的MOS系統(tǒng)。MOSFET的工作就是通過(guò)控制MOS的半導(dǎo)體表面勢(shì)阱——反型層（導(dǎo)電溝道
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共源級(jí)放大器偏置設(shè)計(jì)詳解
2022-11-28
共源級(jí)放大器偏置設(shè)計(jì)詳解共源級(jí)放大器的偏置電路設(shè)計(jì)一個(gè)合適的偏置電路設(shè)計(jì)是放大器工作的前提，偏置電路需要使MOSFET工作在飽和區(qū)。如圖
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共源級(jí)放大電路的小信號(hào)圖文解析
2022-11-28
共源級(jí)放大電路的小信號(hào)圖文解析共源級(jí)放大電路小信號(hào)放大電路的小信號(hào)分析主要考慮三個(gè)參數(shù)，放大倍數(shù)、輸入阻抗和輸出阻抗，這三個(gè)參數(shù)直
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MOSFET-N溝道,P溝道MOS管的不同點(diǎn)介紹
2022-11-28
MOSFET-N溝道,P溝道MOS管的不同點(diǎn)介紹N溝道和P溝道MOS管區(qū)別1、芯片材質(zhì)不同雖然芯片都是硅基，但是摻雜的材質(zhì)是不同，使得N溝道MOS管是通
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充電器電源變換電路的分析和應(yīng)用介紹
2022-11-26
充電器電源變換電路的分析和應(yīng)用介紹分析一個(gè)電源，往往從輸入開(kāi)始著手。220V交流輸入，一端經(jīng)過(guò)一個(gè)4007半波整流，另一端經(jīng)過(guò)一個(gè)10歐的電
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電源延遲接通電路詳解
2022-11-26
電源延遲接通電路詳解在設(shè)計(jì)電子電路時(shí) 有時(shí)希望在合上開(kāi)關(guān)后，電源延遲一會(huì)再接通。例如在有輸出的設(shè)備上，希望設(shè)備工作穩(wěn)定后再輸出。在