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MOSFET驅(qū)動(dòng)器增加數(shù)字電源控制器性能可靠性介紹
2022-04-05
MOSFET驅(qū)動(dòng)器增加數(shù)字電源控制器性能可靠性介紹電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動(dòng)器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號(hào)，以便以
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高速應(yīng)用中使用JFET輸入放大器的優(yōu)勢(shì)詳解
2022-04-05
高速應(yīng)用中使用JFET輸入放大器的優(yōu)勢(shì)詳解電壓反饋放大器可根據(jù)器件中的晶體管類型進(jìn)行分類：雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）或是結(jié)型場(chǎng)效
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使用MOSFET與額外的肖特基二極管減少干擾解析
2022-04-04
使用MOSFET與額外的肖特基二極管減少干擾解析在負(fù)載點(diǎn)（POL）降壓轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域，同步變化的高邊和低邊有源開關(guān)已被廣泛使用。圖1顯示了具有理
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ON狀態(tài)下的MOSFET與三極管有何區(qū)別介紹
2022-04-04
ON狀態(tài)下的MOSFET與三極管有何區(qū)別介紹MOSFET是一種在模擬電路和數(shù)字電路中都應(yīng)用的非常廣泛的一種場(chǎng)效晶體管。一般是金屬(metal)—氧化物(
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正確理解驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)速度詳解
2022-04-04
正確理解驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)速度詳解測(cè)試對(duì)比以下通過(guò)實(shí)測(cè)兩款芯片SLM2184S和IR2184S的性能來(lái)說(shuō)明驅(qū)動(dòng)電流建立時(shí)間對(duì)驅(qū)動(dòng)速度的影響。表格1對(duì)比
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小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案與驅(qū)動(dòng)IC的選擇介紹
2022-04-02
小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案與驅(qū)動(dòng)IC的選擇介紹電機(jī)驅(qū)動(dòng)作為工業(yè)中工廠自動(dòng)化整個(gè)閉環(huán)中的執(zhí)行器環(huán)節(jié)，其性能好壞直接影響到整個(gè)閉環(huán)的性能。因此，
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MOSFET,電源開關(guān)設(shè)計(jì)怎么選擇最優(yōu)MOSFET
2022-04-02
MOSFET,電源開關(guān)設(shè)計(jì)怎么選擇最優(yōu)MOSFETMOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）主要用于開關(guān)應(yīng)用中，具有高電壓和高電流的特點(diǎn)。它們具有
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運(yùn)算放大器中(軌到軌)的作用詳解
2022-04-02
運(yùn)算放大器中(軌到軌)的作用詳解設(shè)計(jì)放大電路時(shí)，隨著信號(hào)的幅度的增大，輸出信號(hào)逐漸增大。但會(huì)遇到下面兩種情況：1）當(dāng)輸出信號(hào)增大到一
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功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電感性負(fù)載解析
2022-04-01
功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電感性負(fù)載解析本文介紹了采用表面貼裝封裝設(shè)計(jì)LITTLEFOOT?功率MOSFET的過(guò)程。它描述了功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電感性負(fù)載，公共
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SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)圖文解析
2022-04-01
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)圖文解析20 世紀(jì)90 年代以來(lái)，碳化硅(silicon carbide，SiC)MOSFET 技術(shù)的迅速發(fā)展，引起人們對(duì)這種新一代功率器
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SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路與Turn-onTurn-off動(dòng)作
2022-04-01
SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路與Turn-onTurn-off動(dòng)作SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時(shí)的VDS和ID
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電阻最大電壓怎么計(jì)算,兩種計(jì)算方法介紹
2022-03-31
電阻最大電壓怎么計(jì)算,兩種計(jì)算方法介紹導(dǎo)體對(duì)電流的阻礙作用就叫該導(dǎo)體的電阻。電阻（Resistor，通常用R表示）是一個(gè)物理量，在物理學(xué)中表