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高速M(fèi)OSFET中誤啟動(dòng)的發(fā)生機(jī)制詳解
2022-03-26
高速M(fèi)OSFET中誤啟動(dòng)的發(fā)生機(jī)制詳解某些情況下，即使使用高速M(fèi)OSFET也無法降低導(dǎo)通損耗。本文就其中一個(gè)原因即誤啟動(dòng)現(xiàn)象進(jìn)行說明。什么是誤
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電源電路分析-過壓保護(hù)電路設(shè)計(jì)介紹
2022-03-26
電源電路分析-過壓保護(hù)電路設(shè)計(jì)介紹大部分電子產(chǎn)品，電源部分是重中之重，好的電源防護(hù)更是不可或缺，好的電源保護(hù)可以保護(hù)后續(xù)重要的電路
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解析在模擬版圖設(shè)計(jì)中堆疊MOSFET
2022-03-25
解析在模擬版圖設(shè)計(jì)中堆疊MOSFET在28nm以下，由于最大器件長度限制，模擬設(shè)計(jì)人員經(jīng)常要對多個(gè)短長度的MOSFET串聯(lián)來創(chuàng)建長溝道的器件。這些
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怎么防止MOSFET寄生導(dǎo)通
2022-03-25
怎么防止MOSFET寄生導(dǎo)通功率MOSFET的寄生導(dǎo)通實(shí)際上，功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通（不希望發(fā)生的事件）的機(jī)率比我們的預(yù)計(jì)更高，造成的損失也更
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怎么處理MOSFET非線性電容
2022-03-25
怎么處理MOSFET非線性電容自從首次推出以來，MOSFET已經(jīng)成為高頻開關(guān)電源轉(zhuǎn)換的主流。該技術(shù)一直在穩(wěn)步改進(jìn)，目前我們已經(jīng)擁有了對于毫歐姆
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常用的不對稱半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電路介紹
2022-03-24
常用的不對稱半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電路介紹不對稱半橋驅(qū)動(dòng)電路介紹及分析本文介紹了幾種常用的不對稱半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電路，分析了各電路的優(yōu)點(diǎn)和適
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MOS管電路加反向電壓導(dǎo)通原因詳解
2022-03-24
MOS管電路加反向電壓導(dǎo)通原因詳解我們在MOS管廠家提供的datasheet中看到的功率MOSFET的原理圖符號都會(huì)包括一個(gè)寄生器件——體二極管。體二
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MOSFET開關(guān)使用共源共柵拓?fù)湎桌招?yīng)分析
2022-03-24
MOSFET開關(guān)使用共源共柵拓?fù)湎桌招?yīng)分析米勒電容如何限制高頻放大以米勒效應(yīng)為例。在20世紀(jì)20年代，美國電子工程師約翰·彌爾頓·米勒...
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直流電源,設(shè)計(jì)準(zhǔn)確的直流電源圖解
2022-03-23
直流電源,設(shè)計(jì)準(zhǔn)確的直流電源圖解電池測試、電化學(xué)阻抗譜和半導(dǎo)體測試等測試和測量應(yīng)用需要準(zhǔn)確的電流和電壓輸出直流電源。在環(huán)境溫度變化
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運(yùn)算放大器,運(yùn)算放大器datasheet參數(shù)中文詳解
2022-03-23
運(yùn)算放大器,運(yùn)算放大器datasheet參數(shù)中文詳解集成運(yùn)放的參數(shù)較多，其中主要參數(shù)分為直流指標(biāo)和交流指標(biāo)，外加所有芯片都有極限參數(shù)。下面分
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電源電路詳解-降壓電路(DC DC）
2022-03-23
電源電路詳解-降壓電路(DC DC）降壓電路DC to DC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)1、降壓拓?fù)淙缟蠄D，要想掌握降壓電路，必須深刻理解拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，幾乎所有降壓DC
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介紹功率因數(shù)校正(Power Factor Correction)
2022-03-22
介紹功率因數(shù)校正(Power Factor Correction)值。基本上功率因數(shù)可以衡量電力被有效利用的程度，當(dāng)功率因數(shù)值越大，代表其電力利用率越高