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IGBT失效模式詳細(xì)解析
2023-05-23
IGBT失效模式詳細(xì)解析IGBT失效詳解失效模式根據(jù)失效的部位不同，可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類。引發(fā)IGBT芯片失效的原因有很多，
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怎么降低MOSFET損耗
2023-05-22
怎么降低MOSFET損耗功率MOSFET應(yīng)用中，功率損耗將導(dǎo)致熱產(chǎn)生，主要由通態(tài)損耗、開關(guān)損耗組成，這也是工程師在應(yīng)用中主要針對優(yōu)化的地方。功
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CMOS集成電路概念,溝道寬長比解析
2023-05-22
CMOS集成電路概念,溝道寬長比解析溝道寬長比介紹本文介紹的數(shù)字后端概念是溝道寬長比。是代表著溝道寬度W與溝道長度L的比例。這也是CMOS集
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四種開關(guān)電路圖,NMOS,PMOS介紹
2023-05-22
四種開關(guān)電路圖,NMOS,PMOS介紹在電路設(shè)計(jì)過程中，有時(shí)需要獨(dú)立控制幾個(gè)開關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開關(guān)的通與
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變頻器的四種控制方式介紹
2023-05-20
變頻器的四種控制方式介紹變頻器也稱為變頻驅(qū)動(dòng)器或驅(qū)動(dòng)控制器，是可調(diào)速驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的一種，是應(yīng)用變頻驅(qū)動(dòng)技術(shù)改變交流電動(dòng)機(jī)工作電壓的頻率
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解析開機(jī)延遲電路,MOS管多少V才能開啟
2023-05-20
解析開機(jī)延遲電路,MOS管多少V才能開啟本電路由1顆MOS管、4只電阻、發(fā)光二極管、電池組成當(dāng)SW1沒有按下去的時(shí)候Q1柵極電壓為0V，Q1為截止?fàn)?
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負(fù)載開關(guān),延時(shí)電路圖文解析
2023-05-20
負(fù)載開關(guān),延時(shí)電路圖文解析延時(shí)電路延時(shí)電路一般用在對于上電時(shí)序有要求的電路以及負(fù)載開始（上電時(shí)）較大的電路而言。負(fù)載重例如較大的電
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電路設(shè)計(jì),模擬電路實(shí)現(xiàn)延時(shí)功能介紹
2023-05-19
電路設(shè)計(jì),模擬電路實(shí)現(xiàn)延時(shí)功能介紹模擬電路實(shí)現(xiàn)延時(shí)功能實(shí)現(xiàn)方式如下圖：一個(gè)電阻與一個(gè)穩(wěn)壓二極管相連，然后一個(gè)電容在它們連接處與它們
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電源管理,延遲上電設(shè)計(jì)介紹
2023-05-19
電源管理,延遲上電設(shè)計(jì)介紹上電順序電路中，不同的器件常常需要有不同的上電順序，比如有些FPGA需要先給3 3V的內(nèi)核供電，至少20ms后才給5V
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開關(guān)瞬態(tài)階段SiC MOSFET建模解析
2023-05-19
開關(guān)瞬態(tài)階段SiC MOSFET建模解析開關(guān)瞬態(tài)分析建模圖 1 顯示了處于開關(guān)瞬態(tài)階段的 SiC MOSFET 建模過程，該過程基于電感鉗位電路，該
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MOSFET放大器的等效模型,工作區(qū)間,偏置介紹
2023-05-18
MOSFET放大器的等效模型,工作區(qū)間,偏置介紹MOSFET放大器信號(hào)放大為何放大：信號(hào)電壓太小，不易察覺信號(hào)功率太小，不能驅(qū)動(dòng)負(fù)載傳輸過程中信
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TOLL封裝布局縮減30% 80V/240A XXW1808A
2023-05-18
TOLL封裝布局縮減30% 80V 240A XXW1808A烜芯微近期推出了幾款采用 TOLL 封裝的 NMOS 產(chǎn)品。相比 TO-263-6L，TOLL占板面積縮小30％，