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直流電路防反接保護(hù)方案圖文介紹
2023-04-22
直流電路防反接保護(hù)方案圖文介紹在直流電源系統(tǒng)中，電源的輸入端，為了防止電源正負(fù)極接反，通常會(huì)在輸入端對(duì)電源進(jìn)行防反接保護(hù)。1 二極管
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直流電源的應(yīng)用電路介紹
2023-04-21
直流電源的應(yīng)用電路介紹1 直流電源的框圖下圖為直流電源的框圖。2 半波整流利用二極管的單向?qū)ㄐ裕瑢?shí)現(xiàn)半波整流。3 全波整流在實(shí)際電
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直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路圖解
2023-04-21
直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路圖解什么是電機(jī)驅(qū)動(dòng)器？電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是控制扭矩、位置輸出和電機(jī)速度的電子設(shè)備。驅(qū)動(dòng)器可以對(duì)進(jìn)入電機(jī)的負(fù)載電流進(jìn)行普通開(kāi)
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電源電路,可變直流電源電路圖介紹
2023-04-21
電源電路,可變直流電源電路圖介紹可變直流電源電路，或者我們可以稱(chēng)之為可調(diào)直流電源，它給我們一個(gè)1 2V-25V的輸出電壓。上面的電源原理圖
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線性穩(wěn)壓電源電路圖文解析
2023-04-20
線性穩(wěn)壓電源電路圖文解析線性穩(wěn)壓電源電路有分離元件構(gòu)成的穩(wěn)壓電源電路和集成電路構(gòu)成的穩(wěn)壓電源電路兩種。分離元件式電源電路典型的分離
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平面MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET的區(qū)別
2023-04-20
平面MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET的區(qū)別功率晶體管近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。下圖表示處理各功率晶體
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平面MOSFET與超級(jí)結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)區(qū)別
2023-04-20
平面MOSFET與超級(jí)結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)區(qū)別基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時(shí)具有更
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功率器件結(jié)溫與殼頂溫度差異解析
2023-04-19
功率器件結(jié)溫與殼頂溫度差異解析開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器通常會(huì)使用功率器件，在設(shè)計(jì)過(guò)程中要測(cè)量功率MOSFET或IGBT結(jié)溫，
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PCB設(shè)計(jì),提高超級(jí)結(jié)MOSFET的性能介紹
2023-04-19
PCB設(shè)計(jì),提高超級(jí)結(jié)MOSFET的性能介紹與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比，超級(jí)結(jié)MOSFET可顯著降低導(dǎo)通電阻和寄生電容。導(dǎo)通電阻的顯著降低和寄生電容
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怎么確定MOSFET所需最小散熱器尺寸
2023-04-19
怎么確定MOSFET所需最小散熱器尺寸假定設(shè)計(jì)電路中的功率MOSFET的總計(jì)算功耗為10W。該器件的最高結(jié)溫為150℃。考慮到結(jié)到外殼還存在溫差，那
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關(guān)于MOSFET和散熱器的圖文解析
2023-04-18
關(guān)于MOSFET和散熱器的圖文解析功率MOSFET、功率BJT和功率二極管等功率器件，散熱器對(duì)于提供散熱非常重要。從名稱(chēng)本身來(lái)看，它將吸收功率器
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計(jì)算元器件的結(jié)溫及熱阻值的解析
2023-04-18
計(jì)算元器件的結(jié)溫及熱阻值的解析θJA是熱阻的單位，用來(lái)表示空氣到結(jié)溫的阻值，單位是℃ W或Ｋ W。做電路設(shè)計(jì)都需要用到以下的公式來(lái)